情報処理学会 第80回全国大会講演要旨

省電力化半導体プロセス技術であるSilicon on Thin Buried Oxide(SOTB)は、
消費電力の削減に効果的であることが報告されている。SOTBは製造後でもボディ
バイアス制御、および動作周波数制御により消費電力の削減が可能となっている。
そのため、SOTBを用いたプロセッサを有効に使用するには動的なボディバイアス
制御、動作周波数制御を可能にする環境が必要となる。本研究では、SOTBを用い
たCPUである“GC-SOTB”およびアクセラレータである“CC-SOTB”を対象とし、
これらプロセッサのための動的ボディバイアス制御、動作周波数制御を可能とした
評価環境を実装し基礎的な評価を行った。また、SoCであるZynqを用いることで
“GC-SOTB”、“CC-SOTB”を評価するための機能を実現した。