4A-4
1トランジスタ型メモリセルを用いた積層方式不揮発性半導体メモリの設計法
○渡辺重佳(湘南工科大)
 1トランジスタ型FeRAM,MRAM,PRAMメモリセルを積層した積層方式不揮発性半導体メモリの設計法に関して検討した。メモリセル部分の移動度に応じてNAND構造とNOR構造を使い分けることにより、DRAMと同程度の高速特性とフラッシュメモリ以上の低コストを実現する不揮発性半導体メモリを実現する可能性があることが分かった。