3H-7
相変化チャネルトランジスタを用いた、積層型NOR PRAMの検討
○加藤　翔，渡辺重佳（湘南工科大）
相変化チャネルトランジスタを用いた、積層型NOR PRAMを提案し、読み出し時間をDRAMと比較検討した。積層型NOR PRAMは読み出し時間が20ns未満と、DRAMと同程度高速性能を実現出来る可能性がある事が分かった。本提案の方式は、将来の低コスト化・高速性能の半導体不揮発性メモリを実現する有力な候補である。