情報処理学会 第78回全国大会講演要旨

現在縦方向への積層技術を用いた低コスト半導体不揮発性メモリである3D　NANDフラッシュメモリの開発と製品化が進められている。本論文ではこの縦方向への積層技術を用いたフラッシュメモリには無い高速特性を実現できる低コスト高速半導体不揮発性メモリの設計法について述べる。その中でも今後にロジック回路への展開も期待できる特性を備えているFeRAM方式とMRAM方式について発表する。