情報処理学会 第76回全国大会講演要旨

シリコン貫通ビア（TSV）を用いた三次元集積回路（3D-IC）はシス
テムの小型化として、近年脚光を浴びている。TSVベース3D-ICは従
来の単層チップと異なり、特殊な加工を要することから、半導体パ
ッケージング及び製造技術の進歩に依存する部分が多い。しかし、
3D構造を活用し、高品質な設計を行うには、TSV及びその他の配線
の特性を十分把握する必要がある。本論文では、TSVを用いた物理
配線の抵抗、インダクタンス、容量に着目し、TSVの長さや直径、
酸化膜厚、ピッチ、配置、積層数等の配線構造依存性を調査し、信
号伝搬特性、特に誘導性・容量性結合によるノイズや遅延への影響
を解析により明らかにする。