C-036
FD-SOIテクノロジを用いた最適なボディバイアスバランスの検討

◎奥原　颯・天野英晴（慶大）

本報告では、最適なボディバイアス印加手法を検討する。従来においては、ボディバイアスはnMOSとpMOSに等量印加されていた。しかし、一般にnMOSFETとpMOSFETで流れるリーク電流は遅延時間は大きく異なるためこれは最適な印可手法ではない可能性がある。そこで、ボディバイアスの割合をnMOSとpMOSで変化させ、最適なボディバイアス電圧のバランスを調査する。