抄録
C-025
高電磁環境下で論理回路に発生する過渡故障の実験的評価
永島一磨・今井健太・新井雅之・福本 聡・和田圭二(首都大)
本研究では, 高電磁環境下における過渡故障に耐性を持つ順序回路を考えるための実験的な評価を行った.具体的には,電力変換回路のパルス大電流部分が引き起こす近傍電磁界ノイズが論理回路の記憶素子にもたらす同時多重故障について観測した.実験にあたり,高電磁環境として,電圧 300V 周波数 1KHz の電力変換回路から負荷へ流れるパルス電流(20A)の近傍空間を用いた.故障を挿入する評価用回路としては, 汎用ロジックICを用いた12bitカウンタ回路および, FPGA実装した12bitカウンタ回路と 256bit のレジスタを持つ簡単な順序回路を使用した.