抄録
C-012
結晶性酸化物半導体トランジスタとSiトランジスタで構成されたメモリのノーマリオフコンピュータへの適用の可能性
結晶性酸化物半導体トランジスタとSiトランジスタで構成されたメモリのノーマリオフコンピュータへの適用の可能性
○松嵜隆徳・井上広樹・高橋康之・大貫達也・石津貴彦・長塚修平・熱海知昭・加藤 清・小山 潤・山﨑舜平（半導体エネルギー研究所）
ノーマリオフコンピュータが提案されている。それは、従来のコンピュータのメモリの階層に不揮発性メモリを適用し、パワーゲーティングと組み合わせることで、プロセッサが処理を行っていない期間は積極的に電源をオフし、高速での電源復帰を行う、低消費電力コンピュータである。本研究では、結晶性酸化物半導体トランジスタとSiトランジスタで構成されたメモリを試作し、試作したメモリの書き換え耐性、書き換え速度等を議論することで、ノーマリオフコンピュータへの適用可能性について検討する。